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  时间:2025-07-08 10:30:29作者:Admin编辑:Admin

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报名图六:开关行为(a)Ag/GaSe/Ag忆阻器的栅极可调电阻开关行为。储能储(c)GaSe纳米薄片脱落后的AFM图像。

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【研究背景】由于低功耗,大讲东站高速度和优越的可扩展性,忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。堂电基于GaSe的忆阻器表现出非易失性双极RS行为。据报道,化学大量的绝缘和半导体材料可用作RS材料,化学目前也有许多策略已被用于调整或改善RS行为,例如掺杂,结构优化,电极和界面工程,以及测量条件等。

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安全投稿以及内容合作可加编辑微信:cailiaokefu。速速山它通常是具有金属/电阻切换(RS)层/金属的夹层结构的双端子装置。

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报名(d)Ag/GaSe金属-半导体结的能带图。

最近,储能储石墨烯和其他2D层状材料也被认为是制造忆阻器的有希望的候选者。大讲东站(c,e,g)沿[011]晶带轴分布的薄层状偏析物的HRTEM图像。

堂电图3:薄层状偏析物区域的STEM图像和相应的STEM-EDX元素分布。文献链接:化学Outstandingtensilepropertiesofaprecipitation-strengthenedFeCoNiCrTi0.2high-entropyalloyatroomandcryogenictemperatures(ActaMater.,2018,DOI:10.1016/j.actamat.2018.11.049)本文由材料人金属材料组Isobel供稿,化学材料牛整理编辑。

这两类偏析物的成分相同,安全但薄层状偏析物具有长程堆垛有序结构(long-periodstackingordered),如15R,12R和4H,且化学无序,但纳米颗粒是有序的L12结构γ相。速速山图7:样品力学性能测试。

 
 
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